Casa Papa especie DDR2. Tipos modernos de memoria DDR, DDR2, DDR3 para computadoras de escritorio. Tipo de enfriamiento de la tarjeta de memoria

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especie DDR2. Tipos modernos de memoria DDR, DDR2, DDR3 para computadoras de escritorio. Tipo de enfriamiento de la tarjeta de memoria

Ahora bien, habiendo aprendido qué es y para qué y cómo sirve, probablemente muchos de vosotros estéis pensando en haceros con una memoria RAM más potente y productiva para vuestro ordenador. Después de todo, aumentar el rendimiento de la computadora con la ayuda de memoria adicional RAM es el método más simple y económico (a diferencia de una tarjeta de video, por ejemplo) para actualizar a su mascota.

Y... Aquí estás parado en el escaparate con paquetes de RAM. Hay muchos y todos son diferentes. Surgen preguntas: ¿Y qué memoria RAM elegir?¿Cómo elegir la memoria RAM correcta y no calcular mal?¿Qué sucede si compro una memoria RAM y luego no funciona? Estas son preguntas perfectamente razonables. En este artículo intentaré responder a todas estas preguntas. Como ya entendió, este artículo ocupará el lugar que le corresponde en la serie de artículos en los que escribí sobre cómo elegir los componentes de computadora individuales correctos, es decir, planchar. Si no lo ha olvidado, los artículos incluyen:
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Este ciclo continuará y al final podrás armar una súper computadora perfecta para ti en todos los sentidos 🙂 (si las finanzas lo permiten, por supuesto :))
Mientras tanto aprender a elegir la memoria RAM adecuada para su computadora.
¡Vamos!

RAM y sus principales características.

Al elegir RAM para su computadora, definitivamente debe basarse en su placa base y procesador, porque los módulos de RAM están instalados en la placa base y también admite ciertos tipos de RAM. Así se obtiene la relación entre placa base, procesador y memoria RAM.

Averiguar sobre ¿Qué memoria RAM soporta la placa base y el procesador? puede visitar el sitio web del fabricante, donde necesita encontrar el modelo de su placa base, así como averiguar qué procesadores y RAM admite para ellos. Si esto no se hace, resultará que compraste una RAM súper moderna, pero no es compatible con tu placa base y acumulará polvo en algún lugar de tu armario. Ahora vayamos directamente a las principales características técnicas de la RAM, que te servirán como una especie de criterio a la hora de elegir la RAM. Éstas incluyen:

Aquí he enumerado las principales características de la memoria RAM, a las que debe prestar atención en primer lugar al comprarla. Ahora vamos a abrir cada uno de ellos a su vez.

tipo de RAM.

Hoy en día, el tipo de memoria preferido en el mundo son los módulos de memoria. RDA(Doble velocidad de transmisión de datos). Difieren en el tiempo de lanzamiento y, por supuesto, en los parámetros técnicos.

RDA o DDR SDRAM(traducido del inglés. Memoria de acceso aleatorio dinámico síncrono de velocidad de datos doble: memoria dinámica síncrona con acceso aleatorio y doble velocidad de transferencia de datos). Los módulos de este tipo tienen 184 contactos en la barra, se alimentan con un voltaje de 2,5 V y tienen una frecuencia de reloj de hasta 400 megahercios. Este tipo de RAM ya está obsoleto y se usa solo en placas base antiguas.
DDR2- un tipo de memoria que se usa mucho en este momento. Tiene 240 contactos en la placa de circuito impreso (120 en cada lado). El consumo, a diferencia de DDR1, se reduce a 1,8 V. La frecuencia de reloj oscila entre los 400 MHz y los 800 MHz.
DDR3- el líder en rendimiento en el momento de escribir este artículo. No es menos común que DDR2 y consume un 30-40 % menos de voltaje que su predecesor (1,5 V). Tiene una frecuencia de reloj de hasta 1800 MHz.
DDR4- un nuevo tipo de RAM súper moderno, por delante de sus contrapartes tanto en rendimiento (frecuencia de reloj) como en consumo de voltaje (lo que significa menos disipación de calor). Soporte anunciado para frecuencias de 2133 a 4266 MHz. Por el momento, estos módulos aún no han entrado en producción en masa (prometen lanzarlos a producción en masa a mediados de 2012). Oficialmente, los módulos de cuarta generación que operan en el DDR4-2133 con un voltaje de 1,2 V fueron presentados en CES por Samsung el 4 de enero de 2011.

La cantidad de memoria RAM.

No escribiré mucho sobre la cantidad de memoria. Permítanme decir que es en este caso que el tamaño importa 🙂
Hace unos años, 256-512 MB de RAM satisfacían todas las necesidades incluso de las mejores computadoras para juegos. Actualmente, solo para el funcionamiento normal del sistema operativo Windows 7, se requiere 1 GB de memoria, sin mencionar las aplicaciones y los juegos. Nunca habrá RAM extra, pero te diré un secreto: Windows de 32 bits usa solo 3,25 GB de RAM, incluso si instalas los 8 GB de RAM. Puedes leer más sobre esto.

Las dimensiones de las lamas o el denominado Factor de Forma.

Factor de forma- estos son los tamaños estándar de los módulos de RAM, el tipo de diseño de las propias tiras de RAM.
DIMM(Módulo de memoria dual en línea: tipo de módulos de doble cara con contactos en ambos lados), diseñado principalmente para computadoras estacionarias de escritorio, y SODIMM utilizado en portátiles.

Frecuencia de reloj.

Este es un parámetro técnico bastante importante de la memoria RAM. Pero la placa base también tiene una frecuencia de reloj, y es importante conocer la frecuencia del bus de funcionamiento de esta placa, ya que si compraste, por ejemplo, un módulo RAM DDR3-1800, y la ranura (conector) de la placa base admite la frecuencia de reloj máxima DDR3-1600, entonces el módulo RAM como resultado operará a una frecuencia de reloj de 1600 MHz. En este caso, todo tipo de fallas, errores en el funcionamiento del sistema y son posibles.

Nota: La velocidad del bus de memoria y la velocidad del procesador son conceptos completamente diferentes.

De las tablas anteriores, puede comprender que la frecuencia del bus, multiplicada por 2, da la frecuencia de memoria efectiva (indicada en la columna "chip"), es decir nos da la tasa de transferencia de datos. El título nos dice lo mismo. RDA(Double Data Rate) - lo que significa el doble de la tasa de datos.
Para mayor claridad, daré un ejemplo de decodificación en el nombre del módulo RAM: Kingston/PC2-9600/DDR3(DIMM)/2Gb/1200MHz, donde:
— Kingston- fabricante;
— PC2-9600— el nombre del módulo y su rendimiento;
- DDR3 (DIMM)- tipo de memoria (factor de forma en el que está hecho el módulo);
— 2 GB es el volumen del módulo;
- 1200MHz— frecuencia efectiva, 1200 MHz.

rendimiento

Banda ancha- una característica de la memoria, de la que depende el rendimiento del sistema. Se expresa como el producto de la frecuencia del bus del sistema y la cantidad de datos transmitidos por ciclo de reloj. El ancho de banda (tasa máxima de datos) es una medida compuesta de la capacidad RAM, tiene en cuenta tasa de baudios, Ancho de bus y el número de canales de memoria. La frecuencia indica el potencial del bus de memoria por reloj: a mayor frecuencia, se pueden transferir más datos.
El indicador de pico se calcula mediante la fórmula: b=f*c, donde:
B es el ancho de banda, f es la frecuencia de transmisión, c es el ancho del bus. Si usa dos canales para la transmisión de datos, multiplicamos todo lo recibido por 2. Para obtener una cifra en bytes / s, debe dividir el resultado por 8 (porque hay 8 bits en 1 byte).
Para un mejor rendimiento ancho de banda del bus de memoria y ancho de banda del bus del procesador debe coincidir con. Por ejemplo, para un procesador Intel core 2 duo E6850 con un bus de sistema de 1333 MHz y un ancho de banda de 10600 Mb/s, puede instalar dos módulos con un ancho de banda de 5300 Mb/s cada uno (PC2-5300), en total serán tener un ancho de banda del bus del sistema (FSB) igual a 10600 Mb/s.
La frecuencia del bus y el ancho de banda se indican de la siguiente manera: " DDR2-XXXX" y " PC2-AAAA". Aquí, "XXXX" indica la frecuencia de memoria efectiva y "YYYY" indica el ancho de banda máximo.

Tiempos (latencia).

Tiempos (o latencia)- estos son los retrasos de tiempo de la señal, que, en las características técnicas de la RAM, están escritos como " 2-2-2 " o " 3-3-3 etc Cada dígito aquí expresa un parámetro. En orden, siempre es Latencia CAS" (Tiempo del ciclo), " Retraso de RAS a CAS” (tiempo de acceso completo) y “ Tiempo de precarga de RAS» (tiempo de precarga).

Nota

Para que entiendas mejor el concepto de tiempos, imagina un libro, será nuestra memoria RAM, a la que accederemos. La información (datos) en un libro (RAM) se divide en capítulos, y los capítulos constan de páginas, que a su vez contienen tablas con celdas (como en las tablas de Excel). Cada celda con datos en la página tiene sus propias coordenadas verticales (columnas) y horizontales (filas). La señal RAS (Raw Address Strobe) se usa para seleccionar una fila, y la señal CAS (Column Address Strobe) se usa para leer una palabra (datos) de la fila seleccionada (es decir, para seleccionar una columna). Un ciclo de lectura completo comienza con la apertura de la "página" y termina con su cierre y recarga, porque. de lo contrario, las celdas se descargarán y los datos se perderán.Así es como se ve el algoritmo para leer datos de la memoria:

la "página" seleccionada es activada por la señal RAS;
los datos de la fila seleccionada en la página se transmiten al amplificador y la transferencia de datos requiere un retraso (llamado RAS a CAS);
se da una señal CAS para seleccionar (columna) una palabra de esa fila;
los datos se transfieren al bus (desde donde van al controlador de memoria), mientras que también hay un retraso (Latencia CAS);
la siguiente palabra ya va sin demora, ya que está contenida en la línea preparada;
una vez que se completa el acceso a la fila, la página se cierra, los datos se devuelven a las celdas y la página se recarga (el retraso se llama RAS Precharge).

Cada dígito en la designación indica cuántos ciclos de bus se retrasará la señal. Los tiempos se miden en nanosegundos. Los números pueden tener valores del 2 al 9. Pero a veces se añade un cuarto a estos tres parámetros (por ejemplo: 2-3-3-8), llamado " Tiempo de ciclo DRAM Tras/Trc” (caracteriza el rendimiento de todo el chip de memoria en su conjunto).
Sucede que a veces un fabricante astuto indica solo un valor en las características de la memoria RAM, por ejemplo " CL2” (Latencia CAS), el primer tiempo es igual a dos ciclos. Pero el primer parámetro no tiene que ser igual para todos los tiempos, y puede ser menor que otros, así que tenga esto en cuenta y no se deje engañar por la estratagema de marketing del fabricante.
Un ejemplo para ilustrar el impacto de los tiempos en el rendimiento: un sistema con memoria de 100 MHz con 2-2-2 tiempos tiene aproximadamente el mismo rendimiento que el mismo sistema a 112 MHz, pero con 3-3-3 retrasos. En otras palabras, dependiendo de la latencia, la diferencia de rendimiento puede llegar al 10 %.
Entonces, al elegir, es mejor comprar memoria con los tiempos más bajos, y si desea agregar un módulo a uno ya instalado, entonces los tiempos de la memoria comprada deben coincidir con los tiempos de la memoria instalada.

Modos de memoria.

La RAM puede funcionar en varios modos, a menos, por supuesto, que la placa base admita dichos modos. Esta un canal solo, dos canales, tres canales e incluso cuatro canales modos. Por lo tanto, al elegir RAM, debe prestar atención a este parámetro de los módulos.
Teóricamente, la velocidad del subsistema de memoria en el modo de doble canal aumenta 2 veces, en el modo de tres canales, 3 veces, respectivamente, etc., pero en la práctica, en el modo de doble canal, el rendimiento aumenta, en contraste con el modo de un solo canal, es 10-70%.
Echemos un vistazo más de cerca a los tipos de modos:

Modo de un solo canal(canal único o asimétrico): este modo está habilitado cuando solo se instala un módulo de memoria en el sistema o todos los módulos difieren entre sí en términos de tamaño de memoria, frecuencia de operación o fabricante. No importa en qué ranuras y qué memoria instalar. Toda la memoria se ejecutará a la velocidad de la memoria más lenta instalada.
modo dual(doble canal o simétrico): se instala la misma cantidad de RAM en cada canal (y, en teoría, se duplica la velocidad máxima de transferencia de datos). En el modo de doble canal, los módulos de memoria funcionan en pares, el primero con el tercero y el segundo con el cuarto.
Modo Triple(tres canales): se instala la misma cantidad de RAM en cada uno de los tres canales. Los módulos se seleccionan por velocidad y volumen. Para habilitar este modo, los módulos deben estar instalados en las ranuras 1, 3 y 5/o 2, 4 y 6. En la práctica, por cierto, este modo no siempre es más productivo que el de doble canal y, a veces, incluso pierde en la velocidad de transferencia de datos.
Modo flexible(flexible): le permite aumentar el rendimiento de la RAM al instalar dos módulos de diferentes tamaños, pero con la misma frecuencia. Al igual que en el modo de doble canal, las tarjetas de memoria se instalan en los conectores del mismo nombre de diferentes canales.

Por lo general, la opción más común es el modo de memoria de doble canal.
Para trabajar en modos multicanal, existen conjuntos especiales de módulos de memoria, los llamados kit de memoria(Kit-set) - este kit incluye dos (tres) módulos, del mismo fabricante, con la misma frecuencia, tiempos y tipo de memoria.
Apariencia de los juegos de KIT:
para el modo de doble canal

para el modo de 3 canales

Pero lo más importante es que dichos módulos son cuidadosamente seleccionados y probados por el fabricante para trabajar en pares (triples) en modos de dos (tres) canales y no implican sorpresas en la operación y configuración.

fabricante de módulos.

Ahora en el mercado RAM fabricantes bien establecidos como: Hynix, amsung, Corsario, Kingmax, Trascender, Kingston, OCZ…
Cada empresa tiene la suya para cada producto. número de marcado, mediante el cual, si lo descifra correctamente, puede descubrir por sí mismo mucha información útil sobre el producto. Por ejemplo, intentemos descifrar la marca del módulo. Kingston familias ValorRAM(ver imagen):

Descifrado:

KVR– Kingston ValueRAM, es decir, fabricante
1066/1333 – frecuencia operativa/efectiva (Mhz)
D3- tipo de memoria (DDR3)
D (Dual) - rango / rango. Un módulo de rango dual son dos módulos lógicos soldados en el mismo módulo físico y que utilizan el mismo canal físico a la vez (requerido para lograr la máxima cantidad de RAM con un número limitado de ranuras)
4 – 4 chips de memoria DRAM
R-registrado, indica un funcionamiento estable sin fallas ni errores durante el mayor tiempo posible un período continuo de tiempo
7 – retardo de la señal (CAS=7)
S– sensor de temperatura en el módulo
K2- un conjunto (kit) de dos módulos
4G- el volumen total de la ballena (ambas barras) es de 4 GB.

Daré otro ejemplo de marcado. CM2X1024-6400C5:
Se puede ver en la etiqueta que este Módulo DDR2 volumen 1024 megabytes estándar PC2-6400 y retrasos CL=5.
Sellos OCZ, Kingston y Corsario recomendado para overclocking, es decir tienen potencial de overclocking. Serán con tiempos bajos y un margen de frecuencia de reloj, además están equipados con disipadores de calor, y algunos incluso enfriadores para eliminar el calor, porque. durante la aceleración, la cantidad de calor aumenta significativamente. El precio para ellos, naturalmente, será mucho más alto.
Le aconsejo que no se olvide de las falsificaciones (hay muchas en los estantes) y compre módulos RAM solo en tiendas serias que le darán una garantía.

Por fin:
Eso es todo. Con la ayuda de este artículo, creo que no se equivocará al elegir RAM para su computadora. Ahora usted puede elegir el operador correcto para el sistema y mejorar su rendimiento sin ningún problema. Bueno, para los que compran memoria RAM (o ya la han comprado), les dedicaré el próximo artículo, en el que describiré detalladamente cómo instalar correctamente la memoria RAM en el sistema. No te pierdas…

Mejor RAM 2019

Corsair dominator platino

La mejor memoria entre compañeros de clase con alto rendimiento e innovación en tecnología RGB. DDR4 estándar, velocidad 3200MHz, tiempos predeterminados 16.18.18.36, dos módulos de 16 gigas. Las barras tienen LED Capellix RGB brillantes, un programa iCUE avanzado y disipadores de calor Dominator DHX. El único problema es que la altura del módulo puede no encajar.

Corsair, como siempre, se supera a sí mismo con cada nuevo modelo, Dominator Platinum no es una excepción. Hoy es el conjunto favorito de memoria DDR4 para jugadores y propietarios de potentes estaciones de trabajo. La apariencia de los módulos es elegante y con estilo, atractiva para los jugadores, el enfriamiento DHX funciona de manera eficiente y el rendimiento de las barras ya está listo para convertirse en una leyenda. En cualquier caso, durante muchos años proporcionará al usuario parámetros emblemáticos. Ahora la memoria tiene un nuevo diseño, una nueva y más brillante retroiluminación LED Corsair Capellix 12. El software (propietario) iCUE proporciona una configuración de memoria flexible para un rendimiento máximo. Si ha cambiado la placa base o el procesador, y quizás el acelerador de gráficos, puede configurar la memoria para cualquier componente nuevo como nativa.

El precio de la memoria es ligeramente más alto que el de otros fabricantes, pero esto se compensa con la más alta calidad y un rendimiento sorprendente.

El artículo se actualiza constantemente. Última actualización 01/04/2013
Memoria de acceso aleatorio (RAM)- esta es una memoria especial (memoria de acceso aleatorio) en la que se almacenan temporalmente los datos y comandos necesarios para que el procesador realice operaciones, y el tiempo de acceso a esta memoria (para el procesador) no excede un ciclo.
La transferencia de datos hacia/desde la RAM se realiza directamente a través de la memoria caché ultrarrápida del procesador (L2 o L3).

Tiempos (retrasos) de RAM es el retardo de tiempo de la señal de comunicación, es decir este es un breve tiempo de retraso para la "capacidad de respuesta" de la memoria a los datos de entrada/salida. Los tiempos afectan directamente la velocidad de la memoria y, como resultado, el rendimiento de todo el sistema es muy dependiente.
Los tiempos se indican en los módulos de memoria en la forma: 4-4-4-12, 6-6-6-18, 9-9-9-27 o como parte del marcado del módulo de memoria CL4, CL5, CL9 .

Lo primero que debe tener en cuenta al elegir la memoria RAM es la placa base y el procesador que haya elegido.
Ya que la memoria se instala directamente en la placa base y el tipo de memoria dependerá del tapete. Tarifa.
Escribimos al respecto:

Y el procesador funcionará directamente con la RAM instalada, y los nuevos procesadores tienen un controlador incorporado para intercambiar datos con la RAM.
Sobre esto aquí:

Tipo de memoria.

Los sistemas informáticos de escritorio utilizan los siguientes tipos de memoria:

RDA(velocidad de datos doble - velocidad de transferencia de datos doble): actualmente, este tipo de memoria está obsoleto y casi nunca se usa. El módulo tiene 184 contactos. Tensión de alimentación estándar 2,5 V.
Marcado PC-2700 333 Mhz, PC-3200 400 Mhz.

Dado que este tipo de memoria se suspendió durante mucho tiempo, no nos centraremos en él.

DDR2 Este es el tipo de memoria que se usa mucho en este momento. DDR2, a diferencia de DDR, le permite muestrear 4 bits de datos por reloj a la vez (4n-prefetch), DDR solo 2 bits por reloj (2n-prefetch), es decir, DDR2 es capaz de transferir 4 bits de información desde celdas de chip de memoria a búferes de E/S en un ciclo de bus de memoria. El módulo está realizado en forma de placa de circuito impreso con 240 contactos (120 en cada lado) y tiene una tensión de alimentación estándar de 1,8 V.
Marcado PC-5300 667 Mhz, PC-6400 800 Mhz, PC-8500 1066 Mhz.

Este tipo de memoria ahora se usa ampliamente en computadoras de escritorio y de juegos. Debido a la alta frecuencia, los tiempos bajos (latencias) y el doble de la tasa de muestreo, la memoria muestra resultados de alto rendimiento.

DDR3- Un nuevo y no menos común tipo de memoria. DDR3: le permite muestrear 8 bits de datos por reloj (8n-prefetch). El módulo, como DDR2, está hecho en forma de placa de 240 pines (solo se desplaza la tecla/ranura y DDR3 no se puede instalar en la ranura DDR2), y el voltaje de suministro estándar es de solo 1,5 V.
Marcado PC-10600 1333 Mhz, PC-12800 1600 Mhz, PC-14400 1800 Mhz, PC-15000 1866 Mhz, PC-16000 2000Mhz.

Por el momento, este tipo de memoria está reemplazando a DDR2 en los nuevos sistemas y lo reemplazará por completo en el futuro. DDR3 ha encontrado aplicación solo en juegos y sistemas de overclocking, pero también se está implementando por completo en sistemas multimedia y portátiles. Ya que tiene grandes, en comparación con DDR2, frecuencias operativas y un ancho de banda mucho mayor.
El consumo de energía de la memoria DDR3 es aproximadamente un 40 % menor que el de la memoria DDR2, lo cual es muy importante para las computadoras portátiles y los sistemas móviles.

Para los nuevos sistemas, comprar memoria DDR2 ya no es rentable. ¿Es para computadoras de oficina basadas en una anterior con un núcleo de gráficos incorporado?

Y al comprar nuevos componentes para el hogar y los sistemas de overclocking de juegos, en este momento, debe concentrarse específicamente en DDR3. Desde entonces, toda la alfombra nueva. Las placas y los nuevos procesadores solo admiten DDR3.
Lo único a considerar es que DDR3 tiene tiempos ligeramente más altos que DDR2, pero debido a la mayor frecuencia y al menor consumo de energía, es la mejor opción para sistemas móviles y de escritorio.

Frecuencia de memoria.

Aquí la aritmética es simple: cuanto mayor sea la frecuencia, más eficiente será la memoria.
Lo principal es que tu placa base soporte la frecuencia de memoria que hayas elegido.

Pero no olvide que a medida que aumenta la frecuencia, los tiempos (retrasos) también aumentan.

La media dorada en DDR3 es 1600 Mhz con tiempos CL7 o CL8.
Para DDR2, la frecuencia óptima es 1066 Mhz con tiempos CL5.

Horarios.

Los tiempos (retrasos) son, en otras palabras, la latencia de la memoria. Es decir, la velocidad de la "capacidad de respuesta" de la memoria está determinada por los tiempos.
Resulta que cuanto más bajos son los tiempos, más rápida es la memoria.

DDR tenía tiempos CL3 estándar (3-3-3-9) a 400 Mhz
Tiempos estándar DDR2 CL6 (6-6-6-18) a 800 Mhz
DDR3 tiene tiempos CL9 (9-9-9-27) a 1600 Mhz

Pero hay módulos con tiempos reducidos/rendimiento aumentado. Dichos módulos son un poco más caros que los estándar, pero pueden acelerar significativamente el sistema.
A veces se los denomina memoria de overclocking.
Puede comprar memoria con tiempos, por ejemplo, a la misma frecuencia para DDR2 800 Mhz solo CL4 (4-4-4-12), y para DDR3 1600 Mhz - CL7 (7-7-7-21).
Lo único es que para asegurar este modo de funcionamiento, algunos fabricantes indican la tensión de alimentación de sus chips por encima del valor nominal.

Modo de dos-tres canales (Dual-Triple-Channel) de operación de memoria y memoria KIT.

El modo de doble canal comenzó a usarse hace relativamente poco tiempo. Y el de tres canales solo está en el chipset para juegos X58 de la plataforma LGA 1366 para Core i7.

El modo de doble canal es un modo de funcionamiento de la RAM, en el que los módulos de memoria funcionan en pares, es decir, el primero con el tercero y el segundo con el cuarto (en tres canales - "triples" 1-3-5, 2-4 -6), y cada par está en su propio canal, mientras que en el modo de un solo canal, todos los módulos de memoria son atendidos simultáneamente por un controlador (por así decirlo, funcionan en un canal).
La cantidad total de memoria disponible en el modo de tres o dos canales (así como en el modo de un solo canal) es igual a la suma de todos los módulos de memoria instalados.

El modo de doble canal de los robots de memoria ofrece un muy buen aumento de rendimiento. En teoría, este modo duplica el ancho de banda de la memoria. Pero en la práctica, el aumento del modo de doble canal frente al de un solo canal oscila entre el 10 % y el 70 % (dependiendo de la aplicación).
Bueno, para un aumento de tres canales, todavía es insignificante, en comparación con uno de dos canales, solo un dos por ciento.

En un modo de tres o dos canales, funcionará la memoria de un volumen, una frecuencia, un fabricante, un tipo. Y también es necesario que la placa base y el procesador admitan este modo de funcionamiento. Puedes leer sobre esto en los artículos:

Pero a veces hay excepciones..
Dos (tres) módulos de memoria completamente idénticos (frecuencia, tiempos, volumen, fabricante, tipo e incluso del mismo lote) pueden "rehusarse" a funcionar en Dual Channel (Triple Channel) y hacer que el sistema se bloquee en una "pantalla azul". ".
Es como una lotería quién tiene la suerte de poner en funcionamiento dos o tres módulos ordinarios y quién no.
Y no puedes hacer ninguna reclamación bajo la garantía, ya que funcionan perfectamente por separado y en modo monocanal.

Para que sea más fácil ejecutar la memoria en el modo DualChannel, los fabricantes de placas base "pintan" las ranuras de memoria de un canal con un color, el segundo canal con otro. En consecuencia, para que la memoria funcione en modo de doble canal, debe instalar módulos en ranuras del mismo color (más precisamente, lea las instrucciones de la placa base).
(una excepción es cuando solo hay dos ranuras en la placa, entonces puede verificar la cantidad de canales usando el programa CPU-Z)

El modo de operación de memoria de un solo canal es cuando la memoria se inserta en ranuras adyacentes (de diferentes colores):

Modo de doble canal, memoria instalada en pares 1-3, 2-4 (en ranuras del mismo color):

¡¡¡IMPORTANTE!!! Si usted, en la placa base, admite robots de memoria de dos canales y la memoria se inserta en las ranuras 1 y 3 (por ejemplo, 2 unidades de 1 Gb cada una) y decide entregar la tercera barra en la ranura 2 o 4 ( digamos la misma barra con un volumen de 1Gb). Luego, "pierde" el modo de memoria de doble canal y el controlador cambiará a un solo canal.
El aumento de la memoria agregada no será alto, pero debido a la pérdida del modo de doble canal, el rendimiento disminuirá un poco.
Para guardar el modo de doble canal, ¡agregue memoria en pares!

Modo de tres canales, la memoria se instala en "triples" 1-3-5, 2-4-6 (también en ranuras del mismo color):

Para trabajar en modos multicanal, existen conjuntos especiales de módulos de memoria.
Así llamado kit de memoria(Kit-set) - este kit incluye dos (tres) módulos, del mismo fabricante, con la misma frecuencia, tiempos y tipo de memoria.
Pero lo más importante es que dichos módulos son cuidadosamente seleccionados y probados por el fabricante para trabajar en pares (triples) en modos de dos (tres) canales y no implican sorpresas en la operación y configuración.

Apariencia de los juegos de KIT:
para el modo de doble canal

para tres canales

Además, dichos módulos de memoria están equipados con radiadores de enfriamiento pasivos, cuya presencia permite que los chips se enfríen solos.
Esta es una ventaja indiscutible y tiene un efecto positivo en la estabilidad de la memoria.

Según las pruebas de aumento de rendimiento, la opción óptima para todos los sistemas (incluidos los de oficina) es el modo de memoria de doble canal (Dual Channel).

Pruebas de rendimiento de doble canal: .

Es decir, por ejemplo, es mejor tomar 2 barras con un volumen de 2 Gb cada una y ponerlas en modo de doble canal que con una barra de 4 Gb.
O 2 piezas de 1 Gb cada una, que una con un volumen de 2 Gb.
La cantidad de memoria es la misma, pero la ganancia de rendimiento es entre un 10 % y un 70 % mayor, según la aplicación.

Lo único es que los módulos idénticos simples (preferiblemente de un lote) son suficientes para proporcionar el modo de doble canal en una computadora de oficina, pero para juegos domésticos, multimedia, sistemas de overclocking de juegos, recomendamos comprar memoria KIT (KIT-set ).

Cantidad de memoria necesaria.

Hasta la fecha, la cantidad mínima requerida de RAM es de 2 Gb. .
Esto es suficiente para cualquier sistema de oficina.

Pero la elección óptima es un volumen de 4 Gb (2x2Gb). Esto es suficiente para cualquier máquina de juego.
No es deseable instalar 4 piezas. 1 Gb, esto conducirá a un mayor consumo de energía y menos estabilidad al emparejar en modo multicanal.

Nota: para que el sistema operativo Windows utilice los 4 Gb de RAM, debe instalar un sistema operativo Windows de 64 bits. Ya que un sistema de 32 bits utilizará 3,12 Gb de los 4 Gb instalados.

Los entusiastas o profesionales necesitarán más RAM principalmente para procesar gráficos y diseñar modelos en alta resolución.

La instalación a partir de 8 Gb (2x4 Gb) está justificada en sistemas con SSD, y que utilizan un disco duro para el almacenamiento a corto plazo de archivos procesados por RAM.
Deshabilitar el archivo de paginación es relevante solo en aquellos sistemas donde se usa una unidad SSD. Para extender su vida útil.

Y al final del artículo, me gustaría decir que nunca hay mucha RAM, pero también es inútil.
Debe tomar exactamente la cantidad que necesita y usar el dinero "extra" para elegir Kit-memoria con tiempos más bajos y con una frecuencia más alta.

La RAM es un microcircuito especial que se utiliza para almacenar todo tipo de datos. Hay muchas variedades de estos dispositivos, son producidos por varias compañías. Los mejores fabricantes suelen ser de origen japonés.

¿Qué es y por qué es necesario?

La RAM (la llamada memoria RAM) es un tipo de microcircuito volátil que se utiliza para almacenar todo tipo de información. La mayoría de las veces contiene:

código de máquina de los programas que se están ejecutando actualmente (o aquellos en modo de espera);
datos de entrada y salida.

Foto: RAM de diferentes fabricantes.

El intercambio de datos entre la CPU y la RAM se realiza de dos formas:

utilizando una ALU de registro ultrarrápido;
a través de un caché especial (si está disponible en el diseño);
directamente (directamente a través del bus de datos).

Los dispositivos bajo consideración son circuitos construidos sobre semiconductores. Toda la información almacenada en varios componentes electrónicos permanece accesible solo en presencia de corriente eléctrica. Tan pronto como el voltaje se apaga por completo, o se produce una falla de energía a corto plazo, todo lo que estaba contenido dentro de la RAM se borra o destruye. La alternativa son los dispositivos de tipo ROM.

Tipos y cantidad de memoria

La placa de hoy puede tener un volumen de varias decenas de gigabytes. Los medios técnicos modernos le permiten usarlo lo más rápido posible. La mayoría de los sistemas operativos están equipados con la capacidad de interactuar con dichos dispositivos. Existe una relación proporcional entre la cantidad de RAM y el costo. Cuanto más grande es, más caro es. Y viceversa.

Además, los dispositivos en cuestión pueden tener una frecuencia diferente. Este parámetro determina qué tan rápido se lleva a cabo la interacción entre la RAM y otros dispositivos de la PC (CPU, bus de datos y tarjeta de video). Cuanto mayor sea la velocidad de trabajo, más operaciones realizará la PC por unidad de tiempo.

El valor de esta característica también afecta directamente el costo del dispositivo en cuestión. La modificación moderna más rápida puede "recordar" 128 GB. Es producido por una empresa llamada Hynix y tiene las siguientes características de rendimiento:

Toda la RAM moderna se puede dividir en dos variedades:

estático;
dinámica.

tipo estático

Más caro hoy en día es un chip estático. Está marcado como SDRAM. Dinámico es más barato.

Las características distintivas de la variedad SDRAM son:

Además, una característica distintiva de la RAM es la capacidad de seleccionar el bit en el que se escribirá cualquier información.

Las desventajas incluyen:

baja densidad de grabación;
costo relativamente alto.

Los dispositivos RAM de computadora de todo tipo (SDRAM y DRAM) tienen diferencias externas. Están en la longitud de la parte de contacto. También tiene una forma diferente. La designación de RAM está tanto en la etiqueta adhesiva como impresa directamente en la propia barra.

Hoy en día hay muchas modificaciones diferentes de SDRAM. Se designa como:

DDR2;
DDR3;
DDR4.

tipo dinámico

Otro tipo de microchip se designa como DRAM. También es completamente volátil, se accede a los bits del registro de forma aleatoria. Este tipo es ampliamente utilizado en la mayoría de las PC modernas. También se utiliza en aquellos sistemas informáticos en los que los requisitos de retrasos son elevados: la velocidad de la DRAM es un orden de magnitud superior a la de la SDRAM.

DRAM - memoria dinámica

Muy a menudo, esta variedad tiene un factor de forma de tipo DIMM. La misma solución de diseño se utiliza para la fabricación de un circuito estático (SDRAM). Una característica del diseño DIMM es que hay contactos en ambos lados de la superficie.

Parámetros operativos

Los criterios principales para elegir chips de este tipo son sus parámetros operativos.

Debe centrarse principalmente en los siguientes puntos:

frecuencia de trabajo;
tiempos;
Voltaje.

Todos ellos dependen del tipo de un modelo en particular. Por ejemplo, DDR 2 realizará varias acciones sin ambigüedades más rápido que la barra DDR 1. Ya que tiene características de rendimiento más sobresalientes.

Timings es el tiempo de retraso de la información entre los diferentes componentes del dispositivo. Hay bastantes tipos de tiempos, todos ellos afectan directamente el rendimiento. Los tiempos pequeños le permiten aumentar la velocidad de varias operaciones. Hay una relación proporcional desagradable: cuanto mayor es la velocidad de la RAM, mayores son los tiempos.

La forma de salir de esta situación es aumentar el voltaje de funcionamiento: cuanto más alto, más pequeños se vuelven los tiempos. El número de operaciones realizadas por unidad de tiempo aumenta al mismo tiempo.

Frecuencia y velocidad

Cuanto mayor sea el ancho de banda de la memoria RAM, mayor será su velocidad. La frecuencia es un parámetro que determina el ancho de banda de los canales a través de los cuales se transmiten datos de diversa índole a la CPU a través de la placa base.

Es deseable que esta característica coincida con la velocidad permitida de la placa base.

Por ejemplo, si la barra admite una frecuencia de 1600 MHz y la placa base no supera los 1066 MHz, la velocidad del intercambio de datos entre la RAM y la CPU estará limitada precisamente por las capacidades de la placa base. Es decir, la velocidad no será superior a 1066 MHz.

Rendimiento

La velocidad depende de muchos factores. El número de lamas utilizadas tiene una influencia muy grande en este parámetro. La RAM de doble canal es un orden de magnitud más rápida que la RAM de un solo canal. La capacidad de admitir modos multicanal se indica en una etiqueta ubicada en la parte superior de la placa.

Estas designaciones tienen la siguiente forma:

Para determinar qué modo es óptimo para una placa base en particular, debe contar la cantidad total de ranuras para la conexión y dividirlas por dos. Por ejemplo, si hay 4 de ellos, entonces necesita 2 tiras idénticas del mismo fabricante. Cuando se instalan en paralelo, se activa el modo Dual.

Principio de funcionamiento y funciones

El funcionamiento del OP se implementa de manera bastante simple, la escritura o lectura de datos se realiza de la siguiente manera:

Cada columna está conectada a un amplificador extremadamente sensible. Registra los flujos de electrones que se producen cuando se descarga el condensador. En este caso, se da el comando correspondiente. Por lo tanto, hay acceso a varias celdas ubicadas en el tablero. Hay un matiz importante que definitivamente debes saber. Cuando se aplica un impulso eléctrico a cualquier cadena, abre todos sus transistores. Están directamente conectados a él.

De esto podemos concluir que una línea es la cantidad mínima de información que se puede leer al acceder. El propósito principal de la memoria RAM es almacenar varios tipos de datos temporales que se necesitan mientras la computadora personal está encendida y el sistema operativo está funcionando. Los archivos ejecutables más importantes se cargan en la RAM, la CPU los ejecuta directamente, simplemente almacenando los resultados de las operaciones realizadas.

Foto: interacción de la memoria con el procesador.

También en las celdas se almacenan:

bibliotecas ejecutables;
códigos de teclas que se presionaron;
resultados de varias operaciones matemáticas.

Si es necesario, todo lo que está en la RAM, el procesador central puede guardarlo en el disco duro. Y hacerlo en la forma en que sea necesario.

Fabricantes

En las tiendas puede encontrar una gran cantidad de RAM de una variedad de fabricantes. Una gran cantidad de estos productos comenzaron a ser suministrados precisamente por empresas chinas.

Hasta la fecha, los productos más productivos y de alta calidad son las siguientes marcas:

Kingston;
Hynix;
Corsario;
reymax.
Samsung.

Es un compromiso entre calidad y rendimiento.

Tabla de características de la memoria RAM

La memoria de acceso aleatorio del mismo tipo de diferentes fabricantes tiene características de rendimiento similares.

Por eso es correcto realizar la comparación teniendo en cuenta únicamente el tipo:

Comparación de rendimiento y precio.

El rendimiento de la memoria RAM está directamente relacionado con su costo. Puede averiguar cuánto cuesta un módulo DDR3 en la tienda de informática más cercana, también debe familiarizarse con el precio de DDR 1. Al comparar sus parámetros operativos y el precio, y luego probarlo, puede verificarlo fácilmente.

Es más correcto comparar RAM del mismo tipo, pero con diferente rendimiento, dependiendo de la frecuencia de operación:

Un tipo	Frecuencia de funcionamiento, MHz	Costo, frotar.	Velocidadtrabajo, Aída 64,Lectura de memoria, MB/s
DDR3	1333	3190	19501
DDR3	1600	3590	22436
DDR3	1866	4134	26384
DDR3	2133	4570	30242
DDR3	2400	6548	33813
DDR3	2666	8234	31012
DDR3	2933	9550	28930

En Aida 64, las pruebas de todos los DDR 3 se realizaron en hardware idéntico:

Sistema operativo: Windows 8.1;
CPU: i5-4670K;
tarjeta de video: GeForce GTX 780 Ti;
placa base: LGA1150, Intel Z87.

La memoria RAM es un componente muy importante de una PC, que afecta en gran medida su rendimiento. Por eso, para aumentarlo, se recomienda establecer barras con una frecuencia alta y tiempos pequeños. Esto dará un gran aumento en el rendimiento de la computadora, es especialmente importante para juegos y varios programas profesionales.

Fundamentos teóricos y primeros resultados de las pruebas de bajo nivel

DDR2 es un nuevo estándar de memoria aprobado por el Consejo Conjunto de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos, que incluye a muchos fabricantes de chips y módulos de memoria, así como conjuntos de chips. Las primeras versiones del estándar ya se publicaron en marzo de 2003, finalmente se aprobó solo en enero de 2004 y recibió el nombre DDR2 SDRAM SPECIFICATION, JESD79-2, revisión A (). DDR2 se basa en la conocida y probada tecnología DDR (Double Data Rate). Incluso puede decir esto: "DDR2 comienza donde termina DDR". En otras palabras, el primer DDR2 operará a frecuencias que son el límite para la generación actual de memoria DDR-400 (estándar PC3200, frecuencia de reloj de 200 MHz), y sus futuras variantes lo superarán significativamente. La primera generación de memoria DDR2, que ya está siendo producida actualmente por proveedores como, y, son sus variedades DDR2-400 y DDR2-533, que funcionan a 200 MHz y 266 MHz, respectivamente. A continuación, se espera que aparezca una nueva generación de módulos DDR2-667 y DDR2-800, aunque se señala que es poco probable que aparezcan y, además, se generalizarán incluso a fines de este año.

Para ser justos, debe tenerse en cuenta que la memoria DDR2, como tal, apareció hace bastante tiempo; por supuesto, me refiero a la memoria en las tarjetas de video. Sin embargo, esta variación de DDR2 (llamada GDDR2) es en realidad un tipo especial de memoria diseñada específicamente para el mercado de tarjetas de video y ligeramente diferente de la versión de "escritorio" de DDR2, que es el tema de esta revisión. información general

Por lo tanto, la DDR2-SDRAM de "escritorio" se considera un reemplazo evolutivo para la generación actual de memoria: DDR. El principio de su funcionamiento es absolutamente el mismo: la transferencia de datos (a nivel del módulo de memoria) se realiza a través de un bus de 64 bits en ambas partes de la señal del reloj (aguas arriba - "frontal" y aguas abajo - "corte" ), que proporciona el doble de tasa efectiva de transferencia de datos en relación con su frecuencia. Por supuesto, al mismo tiempo, DDR2 implementa una serie de innovaciones que permiten saltar a frecuencias mucho más altas (y, en consecuencia, a un mayor ancho de banda) y mayores capacidades de matrices de microchip, por un lado, y un consumo de energía reducido de módulos. , en el otro. Cómo se logra esto, lo veremos más adelante, pero por ahora pasemos a los hechos "macroscópicos". Los módulos de memoria DDR2 se fabrican en un factor de forma nuevo, en forma de DIMM de 240 pines, que no son eléctricamente compatibles con las ranuras de los módulos de memoria DDR (por la cantidad de pines, el espacio entre pines y la distribución de pines del módulo). Por lo tanto, el estándar DDR2 no proporciona compatibilidad con versiones anteriores de DDR.

La siguiente tabla enumera las convenciones de nomenclatura y las especificaciones aprobadas para los tres primeros estándares DDR2. Es fácil ver que DDR2-400 tiene el mismo ancho de banda que el tipo de memoria DDR-400 actual.

Los primeros módulos de memoria DDR2 se enviarán en variantes de 256 MB, 512 MB y 1 GB. Sin embargo, el estándar prevé la posibilidad de construir módulos de capacidad significativamente mayor, hasta 4 GB, que, sin embargo, son módulos especializados (no compatibles con las opciones de escritorio, al menos por el momento). En el futuro se espera la aparición de módulos con aún mayor capacidad.

Los chips DDR2 se fabricarán utilizando un paquete FBGA (Fine Ball Grid Array) que es más compacto que la variante tradicional TSOP-II, lo que permite mayores capacidades de chip en un tamaño más pequeño y un rendimiento eléctrico y térmico mejorado. Algunos fabricantes de DDR ya utilizan este método de empaquetado como una opción, pero se recomienda su uso en términos del estándar JEDEC.

El voltaje consumido por los módulos DDR2, según el estándar, es de 1,8 V, que es mucho menor en comparación con el voltaje de suministro de los dispositivos DDR (2,5 V). Una consecuencia bastante esperada (aunque no tan obvia) de este hecho es una disminución en el consumo de energía, lo cual es importante para los fabricantes tanto de computadoras portátiles como de grandes estaciones de trabajo y servidores, donde el problema de la energía disipada por los módulos de memoria está lejos del último lugar. DDR2 desde el interior

El estándar DDR2 incluye varios cambios importantes relacionados con la transferencia en la especificación DDR que permiten alcanzar frecuencias más altas con un menor consumo de energía. Cómo se logra exactamente la reducción en la disipación de energía al aumentar la velocidad de los módulos, lo consideraremos ahora.

Muestreo de datos

El principal cambio en DDR2 es la capacidad de obtener 4 bits de datos por reloj a la vez (4n-prefetch), a diferencia de la recuperación de 2 bits (2n-prefetch) implementada en DDR. En esencia, esto significa que en cada ciclo de reloj del bus de memoria DDR2, transfiere 4 bits de información desde los bancos lógicos (internos) del chip de memoria a los búferes de E/S a través de una línea de interfaz de datos, mientras que el DDR habitual es Capaz de transferir sólo 2 bits por reloj por línea. Naturalmente, surge la pregunta: si esto es así, ¿por qué el ancho de banda efectivo de DDR2-400 es el mismo que el de un DDR-400 normal (3,2 GB / s) y no se duplica?

Para responder a esta pregunta, primero veamos cómo funciona la memoria DDR-400 convencional. En este caso, tanto el núcleo de la memoria como los búferes de E/S funcionan a una frecuencia de 200 MHz, y la frecuencia "efectiva" del bus de datos externo, gracias a la tecnología DDR, es de 400 MHz. De acuerdo con la regla de captación previa 2n, en cada ciclo de memoria (200 MHz), 2 bits de información ingresan al búfer de E / S en cada línea de interfaz de datos. El propósito de este búfer es multiplexar / demultiplexar (MUX / DEMUX) del flujo de datos; de manera simple, "destilación" de un flujo estrecho de alta velocidad en uno ancho de baja velocidad, y viceversa. Dado que, en un chip de memoria DDR SDRAM, los bancos lógicos tienen un ancho de bus de datos que los conecta y el amplificador de nivel tiene el doble de ancho que desde los pestillos de lectura hasta la interfaz externa, el búfer de datos incluye un multiplexor de tipo 2-1. En general, dado que los chips de memoria, a diferencia de los módulos, pueden tener diferentes anchos de bus de datos, generalmente x4 / x8 / x16 / x32, el uso de dicho esquema MUX / DEMUX (2-1) implementado en DDR significa que el flujo de datos interno de ancho X y frecuencia Y de la matriz se convierte en un flujo externo de ancho X/2 y frecuencia 2Y. Esto se llama Equilibrio de ancho de banda máximo.

Consideremos ahora el diagrama de funcionamiento de un dispositivo de chip de memoria DDR2 SDRAM, igual frecuencia y "igual ancho" (es decir, el mismo ancho de bus de datos) en relación con el chip DDR del módulo de memoria DDR-400. En primer lugar, notamos que el ancho del bus de datos externo se ha mantenido exactamente igual: 1 bit / línea, así como su frecuencia efectiva (en este ejemplo, 400 MHz). En realidad, esto ya es suficiente para responder a la pregunta planteada anteriormente: por qué el ancho de banda teórico de los módulos de memoria DDR2 y DDR de igual frecuencia son iguales entre sí. Además, es obvio que el uso de un multiplexor 2-1 usado en DDR SDRAM ya no es adecuado en el caso de DDR2 SDRAM que obtiene datos de acuerdo con la regla de captación previa 4n. En cambio, requiere la introducción de un circuito más complejo con una etapa de conversión adicional: un multiplexor de tipo 4-1. Esto significa que la salida del núcleo se ha vuelto cuatro veces más ancha que la interfaz externa del microcircuito y la misma cantidad de veces menor en frecuencia de operación. Es decir, por analogía con el ejemplo discutido anteriormente, en el caso general, el circuito MUX/DEMUX 4-1 convierte un flujo de datos interno de ancho X y frecuencia Y del arreglo a un flujo de datos externo de ancho X/4 y frecuencia 4Y. .

Dado que en este caso el núcleo de los chips de memoria se sincroniza a una frecuencia la mitad de la externa (100 MHz), mientras que en DDR la sincronización de los flujos de datos internos y externos se produce a la misma frecuencia (200 MHz), entre los ventajas de este enfoque es un aumento en el porcentaje de buenos chips y consumo de energía reducido módulos. Por cierto, esto también explica por qué el estándar DDR2 supone la existencia de módulos de memoria con una frecuencia "efectiva" de 800 MHz, que es el doble que la generación actual de memoria DDR. Después de todo, es precisamente esta frecuencia DDR2 "efectiva" la que se puede lograr incluso ahora, con chips de memoria DDR-400 que funcionan a una frecuencia nativa de 200 MHz, si los datos se muestrean de acuerdo con la regla de captación previa 4n según el esquema discutido. sobre.

Por lo tanto, DDR2 significa abandonar la forma extensiva de desarrollar chips de memoria, en el sentido de simplemente aumentar aún más su frecuencia, lo que complica significativamente la producción de módulos de memoria de trabajo estables en grandes cantidades. Está siendo reemplazado por un camino de desarrollo intensivo asociado con la expansión del bus de datos interno (que es una solución obligatoria e inevitable cuando se usa una multiplexación más compleja). Nos atrevemos a sugerir que en el futuro es bastante posible esperar la aparición de la memoria DDR4, que obtiene no 4, sino 8 bits de datos de los chips de memoria a la vez (de acuerdo con la regla de captación previa 8n, utilizando un tipo 8-1 multiplexor), y trabajando a una frecuencia que ya no es 2, sino 4 veces menor en relación con la frecuencia del búfer de E/S :). En realidad, no hay nada nuevo en este enfoque; esto ya se ha visto en chips de memoria como Rambus DRAM. Sin embargo, es fácil adivinar que la desventaja de esta ruta de desarrollo es la complicación del dispositivo de búfer de E/S MUX/DEMUX, que en el caso de DDR2 debe serializar cuatro bits de lectura de datos en paralelo. En primer lugar, esto debería afectar a una característica tan importante de la memoria como es su latencia, que consideraremos a continuación.

Terminación en chip

El estándar DDR2 también incluye una serie de otras mejoras que mejoran varias características del nuevo tipo de memoria, incluidas las eléctricas. Una de esas innovaciones es la terminación de señal dentro del chip. Su esencia radica en el hecho de que para eliminar el ruido eléctrico excesivo (debido a la reflexión de la señal desde el final de la línea) en el bus de memoria, se utilizan resistencias para cargar la línea que no está en la placa base (como ocurría con las generaciones anteriores de memoria). ), pero dentro de los propios chips. Estas resistencias se desactivan cuando el chip está en funcionamiento y, a la inversa, se activan tan pronto como el chip entra en estado inactivo. Dado que la señal ahora se amortigua mucho más cerca de su fuente, esto elimina el ruido eléctrico dentro del chip de memoria durante la transferencia de datos.

Por cierto, en relación con la tecnología de terminación en chip, uno no puede evitar detenerse en un momento como ... la disipación de calor del módulo, que, en general, el nuevo estándar DDR2 está diseñado para reducir activamente en el primer lugar. De hecho, tal esquema de terminación de señal conduce a la aparición de corrientes estáticas significativas dentro de los chips de memoria, lo que conduce a su calentamiento. Bueno, esto es cierto, aunque notamos que la energía consumida por el subsistema de memoria en general, esto no debería crecer en absoluto (solo el calor ahora se disipa en otro lugar). El problema aquí es un poco diferente, a saber, la posibilidad de aumentar la frecuencia de operación de tales dispositivos. Es muy probable que esta sea la razón por la cual la primera generación de módulos de memoria DDR2 no son DDR2-800 en absoluto, sino solo DDR2-400 y DDR2-533, para los cuales la disipación de calor dentro de los chips se mantiene en un nivel aceptable hasta ahora.

Retraso agregado

La latencia incremental (también conocida como "CAS retardado") es otra mejora introducida en el estándar DDR2 que está diseñada para minimizar el tiempo de inactividad del programador de instrucciones al transferir datos desde/hacia la memoria. Para ilustrar esto (usando una lectura como ejemplo), comencemos con la lectura de datos Bank Interleave desde un dispositivo DDR2 con una latencia adicional igual a cero, lo que equivale a leer desde una memoria DDR convencional.

En la primera etapa, el banco se abre usando el comando ACTIVATE, junto con el suministro del primer componente de la dirección (dirección de línea), que selecciona y activa el banco requerido y la línea en su matriz. Durante el siguiente ciclo, la información se transfiere al bus de datos interno y se envía al amplificador de nivel. Cuando el nivel de la señal amplificada alcanza el valor requerido (después de un tiempo llamado retardo entre la determinación de la dirección de la fila y la columna, t RCD (RAS-to-CAS Delay), un comando de lectura con recarga automática (READ with Auto-Precharge , RD_AP) se puede emitir para su ejecución junto con la dirección de la columna para seleccionar la dirección exacta de los datos que se leerán desde el amplificador de nivel Después de emitir el comando de lectura, la columna selecciona el retraso estroboscópico - t CL (retraso de la señal CAS, latencia CAS) se realiza, durante el cual los datos seleccionados del amplificador de nivel se sincronizan y transmiten a los pines externos del microcircuito. En este caso, puede surgir una situación en la que el siguiente comando (ACTIVAR) no se puede enviar para su ejecución, ya que la ejecución de otro comandos aún no ha terminado en este momento. Entonces, en este ejemplo, la activación del 2º banco debe posponerse por un ciclo, ya que en ese momento ya se está ejecutando la instrucción de lectura con auto-recarga (RD_AP) del banco 0. ejecutado. acoplado, esto conduce a una interrupción en la secuencia de salida de datos en el bus externo, lo que reduce el ancho de banda de la memoria real.

Para eliminar esta situación y aumentar la eficiencia del programador de instrucciones, DDR2 introduce el concepto de retraso adicional (adicional), t AL. Si t AL es distinto de cero, el dispositivo de memoria monitorea los comandos READ (RD_AP) y WRITE (WR_AP), pero retrasa su ejecución por un tiempo igual al valor del retraso adicional. En la figura se muestran las diferencias en el comportamiento de un chip de memoria DDR2 con dos valores diferentes de t AL.

La figura superior describe el modo de funcionamiento del chip DDR2 en t AL = 0, que es equivalente al funcionamiento del dispositivo de chip de memoria DDR; el inferior corresponde al caso t AL = t RCD - 1, estándar para DDR2. Con esta configuración, como se puede ver en la figura, los comandos ACTIVATE y READ se pueden ejecutar uno tras otro. La implementación real del comando READ se retrasará por la cantidad de retraso adicional, es decir, en realidad, se ejecutará en el mismo momento que en el diagrama anterior.

La siguiente figura muestra un ejemplo de lectura de datos de un chip DDR2 suponiendo t RCD = 4 ciclos, lo que corresponde a t AL = 3 ciclos. En este caso, al introducir latencia adicional, los comandos ACTIVATE/RD_AP pueden ejecutarse en sucesión, lo que a su vez permite que los datos se emitan de manera continua y maximiza el ancho de banda de la memoria real.

Retraso en la emisión de CAS

Como vimos anteriormente, DDR2, en términos de frecuencia de bus externo, funciona a velocidades más altas que DDR SDRAM. Al mismo tiempo, dado que el nuevo estándar no implica cambios significativos en la tecnología de fabricación de los propios chips, los retrasos estáticos a nivel del dispositivo DRAM deberían permanecer más o menos constantes. La latencia intrínseca típica de los dispositivos DRAM de tipo DDR es de 15 ns. Para DDR-266 (con un tiempo de ciclo de 7,5 ns), esto equivale a dos ciclos, y para DDR2-533 (con un tiempo de ciclo de 3,75 ns), equivale a cuatro.

A medida que las frecuencias de la memoria aumentan aún más, es necesario multiplicar el número de valores de retardo de salida de señal CAS admitidos (en la dirección de b O valores más altos). Los retrasos CAS determinados por el estándar DDR2 se presentan en la tabla. Están en el rango de números enteros de 3 a 5 ciclos; el uso de retrasos fraccionarios (múltiplos de 0,5) no está permitido en el nuevo estándar.

Los retrasos de un dispositivo DRAM se expresan en unidades de ciclo (t CK), es decir son iguales al producto del tiempo de ciclo y el valor de retardo seleccionado CAS (t CL). Los valores de retardo típicos para los dispositivos DDR2 se encuentran dentro del rango de 12-20 ns, en función del cual se selecciona el valor de retardo CAS utilizado. Usar b O Los retrasos más grandes no son prácticos debido a consideraciones de rendimiento del subsistema de memoria, mientras que los retrasos más pequeños son inapropiados debido a la necesidad de un funcionamiento estable del dispositivo de memoria.

Retardo de escritura

El estándar DDR2 también introduce cambios en la especificación de retardo de escritura (comandos WRITE). Las diferencias en el comportamiento del comando de escritura en dispositivos DDR y DDR2 se muestran en la figura.

DDR SDRAM tiene una latencia de escritura de 1 ciclo. Esto significa que el dispositivo DRAM comienza a "capturar" información en el bus de datos, en promedio, un ciclo de reloj después de que llega el comando WRITE. Sin embargo, dada la mayor velocidad de los dispositivos DDR2, esta cantidad de tiempo es demasiado corta para que un dispositivo DRAM (es decir, su búfer de E/S) se prepare con éxito para "capturar" datos. En este sentido, el estándar DDR2 define la latencia de escritura como el retraso en la emisión de CAS menos 1 ciclo (t WL = t CL - 1). Se observa que la vinculación del retardo de ESCRITURA al retardo de CAS no solo permite lograr frecuencias más altas, sino que también simplifica la sincronización de los comandos de lectura y escritura (configuración de tiempos de lectura a escritura).

Recuperación después de grabar

El procedimiento para escribir en la memoria SDRAM es similar a una operación de lectura con una diferencia en el intervalo adicional t WR , que caracteriza el período de recuperación de la interfaz después de la operación (normalmente se trata de un retraso de dos ciclos entre el final de la salida de datos y el el autobús y el inicio de un nuevo ciclo). Este intervalo de tiempo, medido desde el final de la operación de escritura hasta el momento en que entra en la etapa de regeneración (Auto Precharge), asegura la restauración de la interfaz después de la operación de escritura y garantiza la corrección de su ejecución. Tenga en cuenta que el estándar DDR2 no cambia la especificación del período de recuperación de escritura.

Por lo tanto, los retrasos de los dispositivos DDR2 en general pueden considerarse una de las pocas características en las que el nuevo estándar pierde frente a las especificaciones DDR. En este sentido, es bastante obvio que es poco probable que el uso de DDR2 de igual frecuencia tenga alguna ventaja en términos de velocidad en relación con DDR. Cómo es esto realmente el caso, como siempre, mostrará los resultados de las pruebas relevantes. Resultados de la prueba en RightMark Memory Analyzer

Bueno, es hora de pasar a los resultados de la prueba obtenidos en el paquete de prueba de la versión 3.1. Recuerde que las principales ventajas de esta prueba en relación con otras pruebas de memoria disponibles son su amplia funcionalidad, la apertura de la metodología (la prueba está disponible para todos para su revisión en el formulario) y la documentación cuidadosamente diseñada.

Banco de pruebas y configuraciones de software

banco de pruebas #1

Procesador: Intel Pentium 4 3,4 GHz (núcleo Prescott, Socket 478, FSB 800/HT, 1 MB L2) a 2,8 GHz
Placa base: ASUS P4C800 Deluxe basada en el chipset Intel 875P
Memoria: 2x512 MB PC3200 DDR SDRAM DIMM TwinMOS (tiempos 2.5-3-3-6)

banco de pruebas #2

Procesador: Intel Pentium 4 3,4 GHz (núcleo Prescott, Socket 775, FSB 800/HT, 1 MB L2) a 2,8 GHz
Placa base: Intel D915PCY basada en el chipset Intel 915
Memoria: 2x512 MB PC2-4300 DDR2 SDRAM DIMM Samsung (4-4-4-8 tiempos)

Software

Windows XP Profesional SP1
Utilidad de instalación de chipset Intel 5.0.2.1003

Ancho de banda de memoria real máximo

La medición del ancho de banda máximo de memoria real se realizó mediante la subprueba ancho de banda de memoria, Preajustes Ancho de banda de RAM máximo, captura previa de software, MMX/SSE/SSE2. Como dice el nombre de los ajustes preestablecidos seleccionados, esta serie de mediciones utiliza un método estándar para optimizar las operaciones de lectura desde la memoria: Software Prefetch, cuya esencia es obtener previamente los datos que se requerirán más tarde de la RAM a la memoria caché L2 de el procesador. Para optimizar las escrituras en la memoria, se utiliza el método de almacenamiento no temporal para evitar la obstrucción de la memoria caché. Los resultados usando los registros MMX, SSE y SSE2 resultaron ser casi idénticos; por ejemplo, a continuación se muestra una imagen obtenida en la plataforma Prescott/DDR2 usando SSE2.

Prescott/DDR2, ancho de banda de memoria real máximo

Tenga en cuenta que no hay diferencias cualitativas significativas entre DDR y DDR2 en Prescotts de igual frecuencia en esta prueba. ¡Pero lo más interesante es que las características cuantitativas del ancho de banda de memoria de DDR-400 y DDR2-533 son muy similares! (ver tabla). Y esto a pesar de que la memoria DDR2-533 tiene un ancho de banda de memoria teórico máximo de 8,6 GB/s (en modo de doble canal). En realidad, no vemos nada sorprendente en el resultado; después de todo, el bus del procesador sigue siendo un bus de bombeo cuádruple de 800 MHz y su ancho de banda es de 6,4 GB/s, por lo que es el factor limitante.

En cuanto a la eficiencia de las operaciones de escritura, en relación a la lectura, es fácil ver que se ha mantenido igual. Sin embargo, esto nuevamente parece bastante natural, ya que en este caso el límite de ancho de banda de escritura (2/3 del ancho de banda de lectura) está establecido explícitamente por las características microarquitectónicas del procesador Prescott.

latencia de memoria

En primer lugar, echemos un vistazo más de cerca a cómo y por qué medimos la latencia de memoria "verdadera", ya que medirla en plataformas Pentium 4 en realidad no es una tarea trivial. Y esto se debe a que los procesadores de esta familia, en concreto, los nuevos Prescott core, se caracterizan por la presencia de un precapturador de datos de hardware asíncrono bastante "avanzado", lo que hace muy difícil medir objetivamente esta característica de los subsistema de memoria. Obviamente, el uso de métodos de derivación de memoria secuencial (hacia adelante o hacia atrás) para medir su latencia es completamente inadecuado en este caso: el algoritmo de captación previa de hardware en este caso funciona con la máxima eficiencia, "enmascarando" las latencias. El uso de modos de derivación aleatoria está mucho más justificado, sin embargo, una derivación de memoria verdaderamente aleatoria tiene otro inconveniente importante. El hecho es que dicha medición se realiza en condiciones de casi el 100% de pérdida de D-TLB, y esto introduce retrasos adicionales significativos, sobre los cuales ya escribimos. Por lo tanto, la única opción posible (entre los métodos implementados en RMMA) es pseudoaleatorio un modo de recorrido de memoria en el que la carga de cada página sucesiva es lineal (anulando los fallos de D-TLB), mientras que el recorrido dentro de la página de memoria en sí es verdaderamente aleatorio.

Sin embargo, los resultados de nuestras mediciones anteriores han demostrado que incluso dicha técnica de medición subestima bastante los valores de latencia. Creemos que esto se debe a otra característica de los procesadores Pentium 4, a saber, la capacidad de "capturar" dos líneas de 64 bytes de la memoria a la caché L2 a la vez con cada acceso a ella. Para demostrar este fenómeno, la siguiente figura muestra las curvas de dependencia de la latencia de dos accesos consecutivos a la misma línea de memoria sobre el desplazamiento del segundo elemento de la línea con respecto al primero, obtenidas en la plataforma Prescott/DDR2 utilizando el prueba Llegada de caché D, Preestablecido Determinación del tamaño de línea de L2 D-Cache.

Prescott/DDR2, llegada de datos a través del bus L2-RAM

De ellos se puede ver (la curva de recorrido aleatorio es la más indicativa) que el acceso al segundo elemento de la línea no va acompañado de retrasos adicionales de hasta 60 bytes inclusive (que corresponde al tamaño real de la línea de caché L2, 64 bytes). El área 64-124 bytes corresponde a la lectura de datos de la siguiente línea de memoria. Dado que los valores de latencia en esta área aumentan solo ligeramente, esto significa que la siguiente línea de memoria realmente se "bombea" en el caché L2 del procesador inmediatamente después de la solicitada. Que se puede hacer de todo esto práctico¿conclusión? La más directa: para "engañar" a esta función del algoritmo Hardware Prefetch, que funciona en todos los casos de bypass de memoria, basta simplemente con bypassear la cadena con un paso igual a la llamada longitud "efectiva" de la línea de caché L2, que en nuestro caso es de 128 bytes.

Entonces, vayamos directamente a los resultados de las mediciones de latencia. Para mayor claridad, aquí están los gráficos de descarga del bus L2-RAM obtenidos en la plataforma Prescott/DDR2.

Prescott/DDR2, latencia de memoria, longitud de línea 64 bytes

Prescott/DDR2, latencia de memoria, longitud de línea 128 bytes

Como en el caso de las pruebas de ancho de banda de memoria real, las curvas de latencia en otra plataforma, Prescott/DDR, se ven exactamente iguales a nivel cualitativo. Sólo las características cuantitativas difieren algo. Es hora de contactarlos.

* latencia en ausencia de descarga del bus L2-RAM

Es fácil ver que la latencia de DDR2-533 resultó ser más alta que la de DDR-400. Sin embargo, no hay nada sobrenatural aquí: de acuerdo con los fundamentos teóricos del nuevo estándar de memoria DDR2 presentado anteriormente, así es exactamente como debería ser.

La diferencia de latencia entre DDR y DDR2 es casi imperceptible con un bypass de memoria estándar de 64 bytes (3 ns a favor de DDR) cuando el precapturador de hardware está funcionando activamente, sin embargo, con una cadena de "dos líneas" (128 bytes) bypass, se vuelve mucho más notable. Es decir, el mínimo de latencia de DDR2 (55,0 ns) es igual al máximo de latencia de DDR; si comparamos las latencias mínima y máxima entre sí, la diferencia es de unos 7-9 ns (15-16%) a favor de DDR. Al mismo tiempo, hay que decirlo, los valores prácticamente iguales de la latencia "promedio" obtenidos en ausencia de descarga del bus L2-RAM son algo sorprendentes, tanto en el caso de un bypass de 64 bytes (con datos prefetch) y un bypass de 128 bytes (sin él). Conclusión

La conclusión principal que se sugiere sobre la base de los resultados de la primera prueba comparativa de memoria DDR y DDR2 obtenida por nosotros se puede formular generalmente de la siguiente manera: "el momento para DDR2 aún no ha llegado". La razón principal es que no tiene sentido luchar por aumentar el ancho de banda teórico de la memoria aumentando la frecuencia del bus de la memoria externa. Después de todo, el bus de la generación actual de procesadores todavía funciona a una frecuencia de 800 MHz, lo que limita el rendimiento real del subsistema de memoria al nivel de 6,4 GB/s. Y esto significa que en la actualidad no tiene sentido instalar módulos de memoria con un ancho de banda de memoria teórico más alto, ya que la memoria DDR-400 actualmente existente y ampliamente utilizada en modo de doble canal se justifica plenamente y, además, tiene una latencia más baja. Por cierto, sobre esto último: un aumento en la frecuencia del bus de memoria externa está inevitablemente asociado con la necesidad de introducir retrasos adicionales, lo que, de hecho, está confirmado por los resultados de nuestras pruebas. Por lo tanto, podemos suponer que el uso de DDR2 se justificará al menos no antes del momento en que aparezcan los primeros procesadores con una frecuencia de bus de 1066 MHz y superior, lo que permitirá superar la limitación impuesta por la velocidad del bus del procesador en el ancho de banda real del subsistema de memoria en su conjunto.

Frecuencia RAM- cuanto mayor sea la frecuencia, más rápido se transferirá la información para su procesamiento y mayor será el rendimiento de la computadora. Cuando se habla de la frecuencia de la RAM, se refieren a la frecuencia de transferencia de datos, no a la frecuencia del reloj.

RDA- 200/266/333/400 MHz (frecuencia de reloj 100/133/166/200 MHz).
DDR2- 400/533/667/800/1066 MHz (frecuencia de reloj 200/266/333/400/533 MHz).
DDR3- 800/1066/1333/1600/1800/2000/2133/2200/2400 MHz (400/533/667/800/1800/1000/1066/1100/1200 MHz frecuencia de reloj). Pero debido a los altos tiempos (retrasos), los módulos de memoria de la misma frecuencia pierden rendimiento DDR2.
DDR4 — 2133/2400/2666/2800/3000/3200/3333.

Frecuencia de comunicación

Frecuencia de transferencia de datos (correctamente llamada - tasa de transferencia de datos, Tasa de datos): la cantidad de operaciones de transferencia de datos por segundo a través del canal seleccionado. Medido en gigatransferencias (GT/s) o megatransferencias (MT/s). Para DDR3-1333, la velocidad de datos será de 1333 MT/s.

Debe comprender que esta no es una frecuencia de reloj. La frecuencia real será la mitad de la especificada, DDR (Double Data Rate) es el doble de la tasa de transferencia de datos. Por lo tanto, la memoria DDR-400 funciona a 200 MHz, DDR2-800 a 400 MHz y DDR3-1333 a 666 MHz.

La frecuencia de RAM indicada en la placa es la frecuencia máxima con la que podrá trabajar. Si instala 2 placas DDR3-2400 y DDR3-1333, el sistema funcionará a la frecuencia máxima de la placa más débil, es decir, por 1333. Por lo tanto, el rendimiento disminuirá, pero la disminución del rendimiento no es el único problema, pueden aparecer errores al cargar el sistema operativo y errores críticos durante la operación. Si va a comprar RAM, debe considerar la frecuencia a la que puede funcionar. Esta frecuencia debe coincidir con la frecuencia admitida por la placa base.

Tasa máxima de transferencia de datos

El segundo parámetro (en la foto PC3-10666) es la velocidad máxima de transferencia de datos medida en Mb/s. Para DDR3-1333 PC3-10666, la tasa de transferencia máxima es de 10,664 MB/s.

Tiempos y frecuencia de RAM

Muchas placas base, al instalar módulos de memoria en ellas, no establecen la velocidad de reloj máxima para ellas. Una de las razones es la falta de ganancia de rendimiento con un aumento en la frecuencia del reloj, porque con un aumento en la frecuencia aumentan los tiempos de operación. Por supuesto, esto puede mejorar el rendimiento en algunas aplicaciones, pero también reducirlo en otras, o puede que no afecte en absoluto a las aplicaciones que no dependen de la latencia de la memoria o del ancho de banda.

El tiempo determina el tiempo de retardo de la memoria. Por ejemplo, el parámetro Latencia CAS (CL, o tiempo de acceso) determina cuántos ciclos de reloj del módulo de memoria retrasarán la devolución de los datos solicitados por el procesador. La RAM CL 9 retrasará nueve ciclos de reloj para transferir los datos solicitados, y la memoria CL 7 retrasará siete ciclos de reloj para transferirlos. Ambas RAM pueden tener la misma frecuencia y tasas de transferencia de datos, pero la segunda RAM transferirá datos más rápido que la primera. Este problema se conoce como "latencia".

Cuanto menor sea el parámetro de temporización, más rápida será la memoria.

Por ejemplo. El módulo de memoria Corsair instalado en la placa base M4A79 Deluxe tendrá los siguientes tiempos: 5-5-5-18. Si aumenta la velocidad del reloj de la memoria a DDR2-1066, los tiempos aumentarán y tendrán los siguientes valores 5-7-7-24.

El módulo de memoria Qimonda, cuando opera a una frecuencia de reloj de DDR3-1066, tiene tiempos de trabajo de 7-7-7-20, cuando la frecuencia de operación aumenta a DDR3-1333, la placa establece los tiempos de 9-9-9- 25 Como regla general, los tiempos se escriben en SPD y pueden diferir para diferentes módulos.